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异质结自旋过滤和负微分电阻效应的制备工艺

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摘要

本发明提供了一种基于Co

1. 异质结自旋过滤和负微分电阻效应的制备工艺 [P] . 中国专利： CN106229266B . 2020.06.23
2. 异质结自旋过滤和负微分电阻效应的制备工艺 [P] . 中国专利： CN106229266A . 2016-12-14
3. Negative-differential-resistance heterojunction bipolar transistor with topee-shaped current-voltage characteristics [P] . 美国专利： US6459103B1 . 2002-10-01

机译：具有拓扑形电流电压特性的负微分电阻异质结双极晶体管
4. Structure and method of manufacturing single-crystal silicon carbide/single-crystal silicon heterojunctions with negative differential resistance characteristics [P] . 美国专利： US6077760A . 2000-06-20

机译：具有负微分电阻特性的单晶碳化硅/单晶硅异质结的结构和制造方法
5. Heterojunction and dual channel semiconductor field effect transistor or negative transconductive device [P] . 美国专利： US4806998A . 1989-02-21

机译：异质结和双通道半导体场效应晶体管或负跨导器件