一种制备同质非晶多层膜改变非晶结构异质性的方法

摘要

本发明公开了一种制备同质非晶多层膜改变非晶结构异质性的方法。薄膜完全由同种单一非晶构成，并呈现多层结构。该方法是采用磁控溅射技术，在溅射镀膜过程中，采用间歇沉积工艺，通过控制单层厚度，改变自由体积含量，并引入非晶/非晶界面，使同质薄膜呈现“多层”的结构特征，增加非晶薄膜的结构异质性。本发明制备的薄膜结构致密，界面层明晰，可以很容易通过控制不同层厚度来控制薄膜结构，从而为增加非晶薄膜的结构异质性，提高非晶薄膜材料的力学性能，制备力学性能可控的纳米材料提供可能。同时，该方法操作简单，成本较低，易于在工业上实现和推广。