氧化硅薄膜的选择性侧向生长

摘要

本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H₂O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。