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公开/公告号CN107104141B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN201710331449.X
发明设计人 王宏兴;王艳丰;王玮;常晓慧;张景文;卜忍安;侯洵;
申请日2017-05-11
分类号
代理机构西安通大专利代理有限责任公司;
代理人陆万寿
地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
入库时间 2022-08-23 11:02:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-19
授权
2017-09-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20170511
实质审查的生效
2017-08-29
公开
机译: 具有带有背栅功能的场效应晶体管的耐热增强型半导体封装
机译:具有镧六硼化栅栅极材料的增强型氢封端金刚石场效应晶体管
机译:带氢表面终端的p型金刚石场效应晶体管的射频等效电路分析
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机译:50nm栅长氢终止的金刚石场效应晶体管-表征和工作检查
机译:P型和N型低聚噻吩基半导体作为有机场效应晶体管中的有源层。
机译:羧基和胺端基在掺杂硼的金刚石溶液栅场效应晶体管(SGFET)上用于pH传感的作用
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机译:In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管的背栅研究