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公开/公告号CN110362144B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201910756733.0
发明设计人 李泽宏;洪至超;胡任任;蔡景宜;杨耀杰;仪梦帅;
申请日2019-08-16
分类号
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:02:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-16
授权
2019-11-15
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/567 申请日:20190816
实质审查的生效
2019-10-22
公开
机译: 具有高电源纹波抑制比的带隙基准电路
机译: 带隙基准电压产生电路,可在高/低温范围内进行温度校正
机译: 适用于生产测试的低输出噪声,高电源抑制和高精度可调节带隙基准电压源的方法和装置
机译:具有曲率补偿和高电源抑制功能的改进型带隙基准
机译:具有低温系数和高电源抑制性能的CMOS带隙基准的设计
机译:基于低于1 V的带隙基准电路的亚阈值逻辑的自适应电源电压设计
机译:用于MEMS微加速度计的曲率补偿,高电源抑制CMOS带隙基准
机译:具有高阶补偿技术的带隙基准
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)