公开/公告号CN100364097C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-01-23
原文格式PDF
申请/专利权人 松下电器产业株式会社;
申请/专利号CN200480006233.7
申请日2004-03-31
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人王英
地址 日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:00:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-05-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/105 授权公告日:20080123 终止日期:20140331 申请日:20040331
专利权的终止
2008-01-23
授权
授权
2006-06-07
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-04-12
公开
公开
机译: 半导体存储器件及其用于使用包括电阻性存储单元的存储单元阵列读取该存储单元的方法以执行单个读取命令
机译: 存储器单元,其制造方法,多层存储器,高容量存储设备,集成电路,基板携带微电子设备,电子设备,磁隧道结存储单元以及使用该存储单元的存储器的方法和用于存储设备的方法磁性隧道连接记忆细胞及减小连接部位的缺陷产生率
机译: 非易失性存储器件,非易失性存储单元和多个晶体管,以及调整非衰减存储单元的阈值的方法(非易失性存储器件,非易失性存储单元和非易失性存储单元,挥发性存储器细胞和每个复数晶体管)