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一种存储单元、存储单元串、存储器及存储器的制备方法

摘要

一种存储单元、存储单元串、存储器及存储器的制备方法,其中,存储单元,包括:由内至外依次设置的沟道层、隧穿层、电荷俘获层、反铁电薄膜层和控制栅电极;所述控制栅电极用于提供控制电压;所述反铁电薄膜层用于在所述控制电压的作用下增强隧穿层的电场。所述电荷俘获层用于通过俘获从所述沟道层注入的电荷存储信息。本发明的存储单元工作电压低、存取速度快且存储窗口大。

著录项

  • 公开/公告号CN111799276A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘潭大学;

    申请/专利号CN202010624165.1

  • 发明设计人 曾斌建;周益春;廖敏;

    申请日2020-06-30

  • 分类号H01L27/1157(20170101);H01L27/1159(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11597(20170101);

  • 代理机构11489 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑久兴

  • 地址 411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号

  • 入库时间 2023-06-19 08:01:52

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