一种基于阱隔离与串接冗余晶体管的抗辐射SRAM单元制备方法

摘要

本发明属集成电路领域，涉及一种基于阱隔离与串接冗余MOS晶体管的抗辐射SRAM存储单元电路设计方法。本发明中串接两个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管，构成一个反相器，两个所述的反相器绞合互连，并连接两个NMOS晶体管，构成SRAM单元，其中反相器输出端是存储节点。本发明的SRAM单元设计方法通过阱隔离使辐射产生的电子限制在一个晶体管的阱内，不会影响其它晶体管，反相器中串接的冗余晶体管会保证SRAM中存储节点值暂时不变，待辐射产生的电子通过阱释放到电源线或地线，辐射效应消失后，绞合相连的另一个反相器会使正确数据稳定存储。