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一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法,包括以下步骤:对衬底清洗干燥处理后设置阳极层;然后用UV预处理,并传送至手套箱内进行空穴传输层制备;再移入真空镀膜室中,共混蒸镀钙钛矿材料和紫外固化剂溶液,过程中一直使用紫外光照射,制备交联钙钛矿薄膜形成的发光层;再在发光层上蒸镀制得电子传输层和阴极层,制得有机电致发光器件;最后进行封装。采用紫外共混蒸镀工艺制备钙钛矿发光层,制得的钙钛矿薄膜致密连续,粗糙度低,结晶性好,抗水氧腐蚀性强,同时通过控制钙钛矿材料和紫外固化剂的蒸发速率比调控发光亮度,增强制备过程可控性。

著录项

  • 公开/公告号CN109950412B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201910266142.5

  • 发明设计人 高瞻;于军胜;于欣格;杨根杰;

    申请日2019-04-03

  • 分类号H01L51/50(20060101);H01L51/56(20060101);H01L51/54(20060101);

  • 代理机构51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司;

  • 代理人廖祥文

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 11:00:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-05

    授权

    授权

  • 2019-07-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20190403

    实质审查的生效

  • 2019-06-28

    公开

    公开

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