半导体器件以及形成垂直结构的方法

摘要

根据示例性实施例，本发明提供了形成具有至少两个阻挡层的垂直结构的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供垂直结构；在垂直结构的源极、沟道、和漏极上方提供第一阻挡层；以及在垂直结构的栅极和漏极上方提供第二阻挡层。