一种用于GGNMOS的电路级建模方法及模型电路

摘要

本发明公开了一种用于GGNMOS的电路级建模方法及模型电路，所述模型电路包括三极管、第一电阻、第二电阻和二极管，所述第一电阻的一端与电源地连接、另一端连接二极管的正极，所述二极管的负极连接电源，所述三极管的基极与二极管和第一电阻之间的连接节点连接，所述三极管的发射极接电源地、集电极通过第二电阻与电源连接。一种用于GGNMOS的电路级建模方法，对GGNMOS进行建模，运用该模型电路可以在短时间内仿真得到GGNMOS对ESD冲击的箝位能力，结构简单，易于实现，与现有的采用提取参数的方式进行物理建模相比，效率更高，设计成本低。