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公开/公告号CN109037374B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-22
原文格式PDF
申请/专利权人 西安理工大学;
申请/专利号CN201811013437.3
发明设计人 胡继超;臧源;李连碧;蒲红斌;
申请日2018-08-31
分类号H01L31/0336(20060101);H01L31/105(20060101);H01L31/036(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人韩玙
地址 710048 陕西省西安市金花南路5号
入库时间 2022-08-23 10:59:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-22
授权
2019-01-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0336 申请日:20180831
实质审查的生效
2018-12-18
公开
机译: 基于GaInAssb-合金的光电二极管异质结构,其制备方法和基于该结构的发光二极管
机译: 基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
机译: 基于无掺杂剂的基于Algan的紫外发光二极管及其制备方法
机译:通过在P-NIO / N-Si异质结光电二极管中插入内在的NIO层来提高紫外线至可见抑制比
机译:基于β-Ga2O3/ GaN异质结的深紫外光电二极管
机译:基于P-GaN / NIO纳米结构/ N-GaN三明治结构的高度敏感,快速 - 响应,快速的紫外线光电探测器
机译:基于p-NiO / n-ZnO的异质结光电二极管用于紫外线检测
机译:基于(Al,Ga)N / GaN半导体异质结构的深紫外线发射器
机译:基于NiO /β-Ga2O3异质结的高性能深紫外光电探测器
机译:基于GaN光电二极管的紫外线辐射传感器的测试和校准
机译:基于GaN / alGaN p-i-n光电二极管的紫外焦平面阵列开发的倒装芯片键合设备。