使用三重阱结构的基底触发的静电保护电路

摘要

一种静电放电(electrostatic discharge，ESD)保护电路形成于一P型基底上，并包括：一第一p+扩散区域，设于该P型基底内；一N阱(N-well)，设于该P型基底内；一第一n+扩散区域，设于该N阱内；一P阱(P-well)，设于该N阱内；以及一NPN型双极结晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)，形成于该P阱内，该NPN型双极结晶体管的基极与发射极之间的等效电路为一不与任何电阻并联的二极管。