一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置及方法

摘要

本发明涉及一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，包括：第一模数转换器，第二模数转换器，第一功能模块电路，第二功能模块电路，PMOS管，NMOS管，传感器探测元电阻阵列，积分电路，不感光电阻；NMOS管的漏极与传感器探测元电阻阵列连接，源极分别与PMOS管的漏极和积分电路连接；PMOS管的源极与不感光电阻的一端连接，漏极还与积分电路连接；第一功能模块电路和第二功能模块电路分别与PMOS管的栅极和NMOS管的栅极连接；第一模数转换器和第二模数转换器分别与PMOS管的衬底和NMOS管的衬底连接，用于调节PMOS管和NMOS管的衬底电压。本发明通过调节晶体管的衬底电压来实现片上非均匀性的校正，降低非均匀校正时调整电压对输出的噪声贡献，提高电路的扩展性能。