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一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法

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摘要

本发明公开了一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长AlN缓冲层、AlGaN渐变缓冲层、Al

1. 一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法 [P] . 中国专利： CN109659398B . 2020.05.12
2. 一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法 [P] . 中国专利： CN109659398A . 2019-04-19
3. Very high transmittance, back-illuminated, silicon-on-sapphire semiconductor wafer substrate for high quantum efficiency and high resolution, solid-state, imaging focal plane arrays [P] . 美国专利： US8354282B2 . 2013-01-15

机译：极高透射率的背照式蓝宝石上硅半导体晶片基板，可实现高量子效率和高分辨率的固态成像焦平面阵列
4. Very high transmittance, back-illuminated, silicon-on-sapphire semiconductor wafer substrate for high quantum efficiency and high resolution, solid-state, imaging focal plane arrays [P] . 美国专利： US2012193636A1 . 2012-08-02

机译：极高透射率的背照式蓝宝石上硅半导体晶片基板，可实现高量子效率和高分辨率的固态成像焦平面阵列
5. Back-illuminated solid-state imaging device, manufacturing method of back-illuminated solid-state imaging device, imaging device and electronic equipment [P] . 韩国专利： KR20200077522A . 2020-06-30

机译：背照式固态成像装置，背照式固态成像装置的制造方法，成像装置和电子设备