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公开/公告号CN108796474B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-12
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201810618364.4
发明设计人 陶伯万;马寅畅;赵睿鹏;唐浩;苟继涛;
申请日2018-06-15
分类号
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人闫树平
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 10:58:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-12
授权
2018-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C18/12 申请日:20180615
实质审查的生效
2018-11-13
公开
机译: 一种基于CZTSSE的薄膜太阳能电池的制备方法及该方法制备的基于CZTSSE的薄膜太阳能电池
机译: 一种基于印刷的金属氧化物薄膜的制备方法及其装置组件
机译: 一种基于合成线性聚酯的薄膜制备方法
机译:分子沉积MgO {001}薄膜同质外延生长的动力学蒙特卡洛模拟
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机译:基于MOCVD生长的同质外延β-Ga2O3薄膜的日光肖特基光电二极管
机译:MgO薄膜的同质外延生长和光学性质
机译:通过分子束外延生长基于III族氮化物的结和器件的异质和同质外延生长。
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机译:基于在MgO上生长的外延Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的光肋波导
机译:srTiO(sub 3)(100)上的外延pb(Zr(sub x)Ti(sub 1(minus)x))O(sub 3)/ srRuO(sub 3)(x = 0,0.35,0.65)多层薄膜通过mOCVD和RF溅射制备mgO(100)和mgO(100)