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一种用于逐次逼近模数转换器的冗余循环平均方法

摘要

该发明公开了一种提高电阻电容型逐次逼近模数转换器SFDR的冗余循环平均方法,涉及微电子学与固体电子学领域,特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。电容失配校正技术研究首先考虑的是易于片上实现,基于LMS算法的校正方案精度高且校准效果好,但初始值若选取不当会导致算法复杂度增加,甚至不收敛,不易于片上实现,而传统辅助DAC的校正技术最易于片上实现且成功率最高,但是不容易实现超高精度的问题,针对上述问题提出一种能提高逐次逼近模数转换器线性度的电容冗余循环平均方法,通过对电容分裂并冗余动态平均,从而具有校正电容失配的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN106899300B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201710080955.6

  • 申请日2017-02-15

  • 分类号H03M1/10(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人张杨

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:58:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-12

    授权

    授权

  • 2017-07-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03M1/10 申请日:20170215

    实质审查的生效

  • 2017-06-27

    公开

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