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半导体元件、互补型半导体装置、半导体元件的制造方法、无线通信装置和商品标签

摘要

本发明的课题在于,提供不随时间劣化、稳定且具有n型半导体特性的半导体元件;主旨是半导体元件,其具有:基材;源电极、漏电极和栅电极;与前述源电极和漏电极接触的半导体层;将前述半导体层与前述栅电极绝缘的栅绝缘层;以及在前述半导体层的与前述栅绝缘层相反侧与前述半导体层接触的第2绝缘层,前述半导体层含有碳纳米管,前述第2绝缘层含有具有选自氮原子和磷原子中的任一种以上的供电子性化合物,前述第2绝缘层的透氧度为4.0cc/(m

著录项

  • 公开/公告号CN110402483B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东丽株式会社;

    申请/专利号CN201880019795.7

  • 发明设计人 矶贝和生;村濑清一郎;崎井大辅;

    申请日2018-02-28

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人蔡晓菡

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 10:58:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-08

    授权

    授权

  • 2019-11-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20180228

    实质审查的生效

  • 2019-11-01

    公开

    公开

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