法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-08
授权
授权
2018-11-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/56 申请日:20180612
实质审查的生效
2018-11-06
公开
公开
机译: 方法包括:形成包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构以及包括包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构的器件
机译: 在集成散热器金属化层上制造接线柱以实现GaAs器件倒装芯片封装的方法
机译: 晶体管封装结构可提供散热,从而可使用碳化硅晶体管和其他大功率半导体器件