一种消除氮化钛膜应力、降低膜电阻的退火方法

摘要

本发明公开了一种消除MOCVD TiN膜应力、降低膜电阻的退火工艺方法，对淀积完MOCVD TiN膜的硅片进行退火处理，通过在特定参数的氮气和氢气混合气体气氛中退火，可以在低温状态下去除通孔内阻挡层中的C、O等杂质，减少侧壁上的阻挡层厚度，从而在避免金属条热诱导失效的情况下降低通孔电阻、削减阻挡层应力。本发明可用于集成电路芯片制造。