一种基于非极性a面ZnOS薄膜的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于非极性a面ZnOS薄膜的光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括r面蓝宝石衬底、非极性a面ZnOS薄膜、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述非极性a面ZnOS薄膜的c轴方向。本发明以r面蓝宝石作为薄膜生长的衬底，采用脉冲激光烧蚀沉积方法，控制衬底温度为500～700℃，脉冲激光能量为300～400mJ/Pulse，薄膜沉积氧压为4～6Pa，在所述r面蓝宝石衬底表面沉积非极性a面ZnOS薄膜，然后通过热蒸发的方法在非极性a面ZnOS薄膜表面蒸镀电极。本发明的探测器结构简单，制备工艺也简单，探测器响应速度快，探测器的探测能力强。