硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件

摘要

本发明公开了一种硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件，属于薄膜发光器件领域。包括硅基及设置在硅基表面的凸起结构；所述凸起结构为三角棱型、不规则山丘型、嵌套金字塔型、米字金字塔型、四方体金字塔型和四棱锥金字塔型中的一种或几种；凸起结构在硅基表面的分布密度、底部尺寸及高度可调。本发明通过利用各向异性碱性溶液湿法腐蚀的方法，在硅基表面制备出不同形貌、密度、底部尺寸和/或高度的凸起。本发明通过利用这种具有凸起结构的硅基，使得基于MOS结构击穿形成导电通道发光的全光谱薄膜发光器件的发光强度增大，器件的发光效率提高。