基于二维半导体材料的半浮栅存储器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明利用二维材料能带工程，实现了准‑非挥发存储特性，在写入速度纳秒级的情况下，数据保持能力达到几十秒，这一特性对于大幅降低随机存储器的功耗有重大帮助。本发明的二维半浮栅存储器的制备方法，包括能带设计、材料堆叠设计和电极版图设计。该存储器在保持纳秒级写入特性的前提下，大幅提升数据保持能力至几十秒；数据保持能力的提高可以极大的降低高速存储技术由于频繁刷新导致的功耗问题。