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一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法。以钛酸丁酯,醋酸铅,碳酸锶和碳酸镁为原料,乙二醇甲醚和醋酸为溶剂,配制溶胶先驱体。采用已配制的相关溶胶先驱体作为镀膜溶液,采用浸渍提拉法制备薄膜涂层。得到的涂层经烘干后在高温下快速热处理,然后烧结得到PSMT铁电薄膜。本发明工艺简单,制备的薄膜质量较好,显示了较高的介电可调性(介可调性可达35%到63%),具有良好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN100381394C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN200610154667.2

  • 申请日2006-11-14

  • 分类号C04B35/47(20060101);C04B35/472(20060101);C03C17/22(20060101);C04B41/87(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人林怀禹

  • 地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/47 授权公告日:20080416 终止日期:20141114 申请日:20061114

    专利权的终止

  • 2008-04-16

    授权

    授权

  • 2007-06-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-04-25

    公开

    公开

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