基于DTW和SVM的SiC-GTO器件状态监测方法

摘要

本发明提出了一种基于DTW和SVM的SiC‑GTO器件状态监测方法，其步为：在SiC‑GTO器件测试结构中，将第3个P区作为功能管脚引出，定义为Base极，并采用嵌入式电路设计的方法在低压情况下测量器件任意两端的伏安特性曲线，将其在不同环境下得到的器件伏安特性曲线作为监测对象。并提出新的动态时间规整改进方法，对其搜索路径进行优化，可有效的避免算法中路径规整不准确和搜索宽度需人为设置的问题，同时降低计算复杂度减少计算量。最后基于SVM将最小失真度总和作为样本特征进行分类，实现高压SiC‑GTO器件健康状态监测。