一种纳－微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法

摘要

一种纳-微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法，属于热电半导体材料技术领域。涉及含有纳米尺度的硅，In、InSb或Sb量子线或点的纳-微米多孔硅锗合金片的制备。本发明采用电化学腐蚀、物理气相蒸镀、第二次化学腐蚀相结合的方法，获得一系列含有纳米尺度的硅或硅锗量子线量子线、多孔硅锗合金片，在该多孔硅锗合金片的孔中含有In、InSb或Sb量子线或点，其组成特征是：In、InSb或Sb的重量总含量小于2%，具有实-空结合的量子结构，该结构使电子与声子运动分离，实现热电性能的大幅度提高，较常规的制备量子阱、量子线或量子点的化学气相沉积等方法具有工艺简便，成本低的优点，该制备方法还可用于较高性能硅锗激光器的研究。