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一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法

摘要

本发明属于材料制备技术领域,特别涉及一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法。本发明采用氧化之后的M箔片作为CVD制备二维材料的M前驱物,X粉为X源,通过CVD高温区和低温区设置,采用特定的升温和冷却程序,制备得到结晶性良好的单层二维材料MX

著录项

  • 公开/公告号CN108083339B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳大学;

    申请/专利号CN201710697866.6

  • 发明设计人 时玉萌;李贺楠;姚慧珍;陈龙龙;

    申请日2017-08-15

  • 分类号

  • 代理机构深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人张立娟

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号

  • 入库时间 2022-08-23 10:55:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-14

    授权

    授权

  • 2018-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G39/06 申请日:20170815

    实质审查的生效

  • 2018-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20170815

    实质审查的生效

  • 2018-05-29

    公开

    公开

  • 2018-05-29

    公开

    公开

  • 2018-05-29

    公开

    公开

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