一种自对准四重图形技术

摘要

本发明提供了一种自对准四重图形技术(Self‑Aligned Quadruple Pattern，简称SAQP)，本发明中的自对准四重图形技术(SAQP)，通过二次沉积侧墙材料工艺，在不改变目前光刻技术的前提下(即光刻窗口大小不变)，可以获得1/4最小尺寸(1/4Pitch)，比原来的自对准双重图形技术(SADP)的1/2最小尺寸(1/2Pitch)有了大幅提升，从而可以极大提高半导体集成电路的密度。