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一种获取Power MOS版图设计全貌的方法

摘要

一种获取Power MOS版图设计全貌的方法,包括以下步骤:1)在不切分Power MOS管的情况下提取源端和漏端覆盖区域之外的M1电阻;2)切分Power MOS管,提取参数信息;3)提取Power MOS版图设计中的特定参数的拓扑信息;4)将参数的拓扑信息输入SPICE进行仿真。本发明能够获取整个Power MOS版图设计的I‑V特性(电压电流特性),即得到了整个Power MOS版图设计的特性全貌,为Power IC可靠性分析提供了依据。

著录项

  • 公开/公告号CN109344564B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京华大九天软件有限公司;

    申请/专利号CN201811580199.4

  • 发明设计人 李雷;魏洪川;陆涛涛;

    申请日2018-12-24

  • 分类号

  • 代理机构北京德崇智捷知识产权代理有限公司;

  • 代理人王金双

  • 地址 100102 北京市朝阳区利泽中二路2号A座2层

  • 入库时间 2022-08-23 10:54:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-07

    授权

    授权

  • 2019-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20181224

    实质审查的生效

  • 2019-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20181224

    实质审查的生效

  • 2019-02-15

    公开

    公开

  • 2019-02-15

    公开

    公开

  • 2019-02-15

    公开

    公开

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