公开/公告号CN109344564A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 北京华大九天软件有限公司;
申请/专利号CN201811580199.4
申请日2018-12-24
分类号
代理机构北京德崇智捷知识产权代理有限公司;
代理人王金双
地址 100102 北京市朝阳区利泽中二路2号A座2层
入库时间 2024-02-19 07:07:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-07
授权
授权
2019-03-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20181224
实质审查的生效
2019-02-15
公开
公开
技术领域
本发明涉及EDA工具中的版图设计领域,特别涉及一种获取Power MOS版图设计全貌的方法,通过对大规模功率MOS管(Power MOS)进行切分的方法,提取分布在Power MOS版图中所有metal、via、contact、diffusion,相较于传统提取方法,更能反应Power MOS版图设计全貌。
背景技术
如何模拟Power IC产品的真实工作状态,提高Power IC产品的可靠性和良率是Power IC设计者始终面临的难题。传统RC提取方案无法满足Power IC设计者了解Power IC的全貌的需求。Power IC模块具有形状特殊、面积大、设计符合DRC/LVS规则但依然失效、精确的电压电流仿真难以用传统RC提取和仿真器来完成、分析迭代周期长等特点,导致在无保证精度和速度的解决方案情况下,Power IC设计也无法预测Power IC产品的可靠性和性能,设计风险和产品开发周期风险并存。Power IC设计的可靠性问题以及无法获取的真实状态主要是由大面积的Power MOS版图造成的,所以如何获得Power MOS版图的全貌就成为Power IC设计的关键。
因而,亟需一种能够获得Power MOS版图的全貌的方法。
发明内容
为了解决现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种获取Power MOS版图设计全貌的方法,利用切分Power MOS管的方式,提取分布在Power MOS版图中所有metal、via、contact、diffusion细节,获得Power MOS版图全貌,用SPICE仿真器对包含所有细节的网络拓扑进行仿真,获取整个Power MOS版图设计的I-V特性(电压电流特性),即得到了整个Power MOS版图设计的特性全貌,为Power IC可靠性分析提供了依据。
为实现上述目的,本发明提供的获取Power MOS版图设计全貌的方法,包括以下步骤:
1)在不切分Power MOS管的情况下提取源端和漏端覆盖区域之外的M1电阻;
2)切分Power MOS管,提取参数信息;
3)提取Power MOS版图设计中的特定参数的拓扑信息;
4)将参数的拓扑信息输入SPICE进行仿真。
进一步地,在步骤2)中,切分Power MOS管,EDA工具为MOS管建立虚拟的源端和漏端。
进一步地,所述步骤2)中提取的参数信息包括建立的虚拟的源端和漏端处的参数信息,所述参数信息包括metal、contact、diffusion、via。
进一步地,所述参数信息进一步包括源端和漏端覆盖区域之外的M1。
更进一步地,所述步骤4)中的仿真结果为版图设计拓扑结构每一处的电压电流特性。
为实现上述目的,本发明还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,所述计算机指令运行时执行上述的获取Power MOS版图设计全貌的方法的步骤。
本发明提供Power MOS管切分思路,提取Power MOS版图设计中所有的metal、via、contact拓扑信息,获取Power MOS版图设计全貌,然后结合仿真器对此拓扑进行SPICE精确无损仿真,获得metal、via、contact、diffusion以及MOS管的I-V特性,从而得到整个PowerMOS版图设计的特性全貌。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,并与本发明的实施例一起,用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为根据本发明的获取Power MOS版图设计全貌的方法的流程图;
图2为根据本发明的实施方式的Power MOS不切分示意图;
图3为根据本发明的实施方式的Power MOS切分示意图;
图4为根据本发明的实施方式的Power MOS的I-V特性分布示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
图1为根据本发明的获取Power MOS版图设计全貌的方法的流程图,下面将参考图1,对本发明的获取Power MOS版图设计全貌的方法进行详细描述。
首先,在步骤101,在不切分Power MOS管的情况下提取源端和漏端覆盖区域之外的M1电阻。
图2为根据本发明的实施方式的Power MOS不切分示意图,如图2所示,不切分MOS管,MOS管的源端和漏端就是版图上淡灰色区域所覆盖区域。按照不切分模式,对于淡灰色区域里面的metal、CT(contact)、diffusion都不做提取,只提取源端和漏端覆盖区域之外的M1电阻,作为对比内容。如果淡灰色区域内有更多层次的via、metal,同样不被提取。
在步骤102,切分Power MOS管。
在该步骤中,切分MOS管,EDA工具会为MOS管建立虚拟的源端和漏端。图3为根据本发明的实施方式的Power MOS切分示意图,如图3所示,粗黑色线框区域以外的淡灰色区域内metal、CT(contact)、diffusion也会被提取出来,如果有更多层次的via、metal,也是同样被提出来。当然,源端和漏端覆盖区域之外的M1以及更多的层次也都会被提出来。
在该步骤中,切分Power MOS,提取Power MOS内部连接网络。
在步骤103,提取Power MOS版图设计中的特定参数的拓扑信息。
按照图3以及步骤102对整个Power MOS版图切分以完成整个拓扑的提取,获得特定参数的拓扑信息。该特定参数的拓扑信息,包括,获得Power MOS有源区域内的metal,via,contact,diffusion电阻网络。
在步骤104,将参数的拓扑信息输入仿真电路模拟器(SPICE)进行仿真。
按照步骤103获得的拓扑进行SPICE仿真,获得反映整体版图设计各处细节的I-V特性,从而获得类似于如图4所示的可供于进行可靠性分析的分布图。
在该步骤中,通过SPICE精确无损仿真获取Power MOS版图设计全拓扑结构的I-V特性。
可以看出,本发明在执行获取Power MOS 全貌的过程中,EDA工具分别执行切分Power MOS提取整个版图设计拓扑结构,导出整个拓扑结构给SPICE仿真器,SPICE仿真器对此拓扑进行精确无损仿真,获得每一处的电压电流特性,然后把仿真结果传递给可视化工具,展现Power MOS版图设计特性全貌,为Power MOS版图设计可靠性分析提供依据。
本发明还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,所述计算机指令运行时执行上述的一种获取Power MOS版图设计全貌的方法的步骤,所述一种获取Power MOS版图设计全貌的方法参见前述部分的介绍,不再赘述。
本领域普通技术人员可以理解:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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