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用于创建具有横向集电极的高电压互补BJT的方法

摘要

本发明公开了用于创建具有降低表面电场效果的具有在体衬底上具有的横向集电极的具有减小表面电场效果的高电压互补BJT的方法,并且描述了形成在标准体硅集成电路中的高电压双极晶体管(100,200)。在一个公开的实施例中,集电极区域(104,204)被形成在外延硅层中。基区(113,213)和发射极(108,208)被布置在集电极区域的上方。n型区域(106)通过在沉积集电极外延区域之前将施主杂质注入到PNP晶体管的p衬底和将受主杂质注入到NPN晶体管的p衬底来形成在集电极区域的下方。在后面的工艺流程中,这些n型(106)和p型(206)区域通过深n+(110)阱和深p+(210)阱分别连接到管芯的顶部。n型阱接着被耦合到VCC,而p型阱被耦合到GND,从而提供PNP和NPN集电极区域的横向消耗的部分,并且因此增加PNP和NPN集电极区域的BV。

著录项

  • 公开/公告号CN104979344B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;

    申请/专利号CN201510158427.9

  • 发明设计人 J·A·巴布科克;A·萨多夫尼科夫;

    申请日2015-04-03

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 10:54:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-07

    授权

    授权

  • 2017-04-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/082 申请日:20150403

    实质审查的生效

  • 2017-04-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/082 申请日:20150403

    实质审查的生效

  • 2015-10-14

    公开

    公开

  • 2015-10-14

    公开

    公开

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