一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构

摘要

本发明公开了一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构，位于轻掺杂衬底中，包括重置晶体管、传输晶体管、PN光电二极管、像素单元隔离区、阱区和环状硅区；所述传输晶体管的两端分别连接所述重置晶体管和PN光电二极管；所述重置晶体管、传输晶体管和PN光电二极管形成的区域被环状的像素单元隔离区包围，所述像素单元隔离区中紧邻所述重置晶体管的部分为浅沟槽隔离，所述PN光电二极管中P型区域和N形区域在垂直方向上下分布，且位于下方的区域自上而下包括掺杂浓度不同的区域Ⅰ、区域Ⅱ和区域Ⅲ，在所述阱区和像素单元隔离区的下方设置环状硅区。本发明提供的光电二极管结构，可以提高长波段的量子效率，并且避免引入带间隧穿漏电。