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半导体器件和设计方法及该方法的记录介质和支持系统

摘要

每个包括缓冲器或反相器和与缓冲器或反相器的输入管脚连接的用于防止天下损坏或天线规则失效发生的n+扩散层-P阱型保护二极管的中继器单元预先用登记装置(511)登记,作为要在单元库(505)中要登记的单元。用确定装置(514)确定引到栅极的布线导体是否是超过半导体器件中的容许天线比的天线比,如果布线导体超过可容许的天线比,用选择装置(515)把一个或多个中继器单元插入布线导体的任意点。

著录项

  • 公开/公告号CN100359688C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松下电器产业株式会社;

    申请/专利号CN99104839.3

  • 发明设计人 石仓聪;

    申请日1999-04-07

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-05

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/00 授权公告日:20080102 终止日期:20120407 申请日:19990407

    专利权的终止

  • 2008-01-02

    授权

    授权

  • 2001-06-27

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1999-10-13

    公开

    公开

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