半導体デバイスの静電気保護設計手法

摘要

近年の性能向上目的のデバイス構造変化に伴うESDに対する素子構造の脆弱化は、新たな保護設計手法構築が必要とされるに至った。本稿ではTLP (Transmission Line Pulsing Method)測定を用いて抽出されるESDパラメータによるESD保護設計手法、およびその改善手法について解説する。