首页> 中国专利> 形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件

形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件

页面导航

摘要

本发明公开了一种具有多晶SiGe结的MOSFET器件的结构和制造方法。Ge在Si上选择性地生长，Si在Ge上选择性地生长。Ge和Si层的交替淀积形成SiGe结。所述淀积的层进行掺杂，随后掺杂剂向外扩散入器件本体中。位于所述多晶Ge和Si层之间的薄的、多孔氧化物层提高了SiGe结的各向同性。

公开/公告号CN100369199C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-02-13

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
展开▼

申请/专利号CN200510072898.4
发明设计人陈国仕;罗伯特·J·米勒;艾林·C·琼斯;阿图尔·阿伊梅拉;
展开▼

申请日2005-05-17
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/205(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人付建军
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:00:12

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/20 授权公告日:20080213 终止日期:20190517 申请日:20050517

专利权的终止
2017-12-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 登记生效日:20171116 变更前: 变更后: 申请日:20050517

专利申请权、专利权的转移
2017-12-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 登记生效日:20171116 变更前: 变更后: 申请日:20050517

专利申请权、专利权的转移
2017-12-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20171116 变更前: 变更后: 申请日:20050517

专利申请权、专利权的转移
2017-12-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20171116 变更前: 变更后: 申请日:20050517

专利申请权、专利权的转移
2008-02-13

授权

授权
2008-02-13

授权

授权
2008-02-13

授权

授权
2006-02-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-02-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-02-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-12-14

公开

公开
2005-12-14

公开

公开
2005-12-14

公开

公开

查看全部

1. 形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件 [P] . 中国专利： CN100369199C . 2008.02.13
2. 半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法 [P] . 中国专利： CN1630036A . 2005-06-22
3. Method of forming a metal silicide layer on a polysilicon gate structure and on a source/drain region of a MOSFET device [P] . 美国专利： US6294434B1 . 2001-09-25

机译：在多晶硅栅极结构上和在MOSFET器件的源/漏区上形成金属硅化物层的方法
4. Semiconductor processing for forming capacitors by etching polysilicon and coating layer formed over the polysilicon [P] . 美国专利： US5966611A . 1999-10-12

机译：通过蚀刻多晶硅和在多晶硅上形成的涂层形成电容器的半导体工艺
5. MOSFET DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING DOPANT DIFFUSION AND METAL CONTAMINATION IN THIN POLYCIDE GATE CONDUCTOR [P] . SG68635A1 . 1999-11-16

机译：薄多晶硅栅极导体中的MOSFET器件及控制掺杂扩散和金属污染的方法