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形成可分离界面的方法及使用此方法制作微机电薄膜

摘要

一种在半导体制程或微机电制程中形成可分离界面的方法,即在制程基底与集成电路元件或微机电元件的层与层之间,用接合度不佳的材料或制程,或用易被蚀刻去除的材料,形成一种可用外力破坏的可分离界面,使集成电路元件或微机电元件在后续的制程中,用破坏所述的可分离界面实现分离集成电路元件或微机电元件与制程基底的目的;尤其,由所述可分离界面所制成的微机电薄膜,在结构上不但不带制程基底且具有可挠曲性,而且上下两面都可以制成具备电路接点、微结构或微机电元件,与传统微机电薄膜必须与制程基底同时存在的结构相比,不带制程基底且具有可挠曲性的微机电薄膜,有更广泛的实际应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN100375236C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 董玟昌;

    申请/专利号CN200510125864.7

  • 发明设计人 董玟昌;

    申请日2005-11-30

  • 分类号H01L21/02(20060101);B81C1/00(20060101);B81B3/00(20060101);

  • 代理机构11225 北京金信立方知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄威;张金海

  • 地址 中国台湾台北县板桥市溪洲里16邻满平二街15号之4

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-03

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 登记生效日:20200612 变更前: 变更后: 申请日:20051130

    专利申请权、专利权的转移

  • 2008-03-12

    授权

    授权

  • 2008-03-12

    授权

    授权

  • 2006-09-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-19

    公开

    公开

  • 2006-07-19

    公开

    公开

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