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水平式隧穿磁强计

摘要

水平式隧穿磁强计,属于传感器技术领域。为了解决现有技术中隧穿式磁强计的加工难度大的问题,本发明公开了一种用于磁场测量的微小型水平式隧穿磁强计,包括表头芯片和反馈控制电路部分,表头芯片由硅片和玻璃两部分键合而成,所述硅片部分包括质量弹簧系统和线圈,在所述质量弹簧系统中,仅有一个表面加工了线圈,由被测磁场和所述线圈中电流产生的洛伦兹力方向与所述质量弹簧系统中加工了线圈的表面平行。本发明的优点在于:敏感元件只有一个表面需要加工,可以较大地降低敏感元件的加工难度。同时由于主体部分都在磁强计的硅片上加工,可以有效降低硅片和玻璃所需要的对准精度。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 33/02 授权公告日:20080123 终止日期:20130903 申请日:20040903

    专利权的终止

  • 2008-01-23

    授权

    授权

  • 2005-05-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-02

    公开

    公开

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