法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-14
授权
授权
2017-04-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B9/12 申请日:20160825
实质审查的生效
2017-04-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 9/12 申请日:20160825
实质审查的生效
2017-03-08
公开
公开
2017-03-08
公开
公开
机译: 衬底,III族氮化物半导体外延衬底,III族氮化物半导体器件和III族氮化物半导体独立衬底,以及这些用于III族氮化物半导体生长的生产方式
机译: III族氮化物半导体单晶的制造方法以及III族氮化物半导体单晶基板的制造方法
机译: III族氮化物半导体单晶的制造方法以及III族氮化物半导体单晶基板的制造方法