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集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器

摘要

本公开提供了一种集成CMOS‑MEMS的高灵敏谐振式传感器,包括:微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路;谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路,惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振;通过获取MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。本公开具有CMOS‑MEMS集成度高、灵敏度高、可大规模制作等特点,相比于同类MEMS器件和电路模块,占用面积减少了近90%,因此,非常适用于便携式检测,尤其是可穿戴系统,能够广泛应用于生物医疗、食品安全、化学化工、航天国防等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN109283236B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201811363372.5

  • 申请日2018-11-15

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人李坤

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 10:49:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-31

    授权

    授权

  • 2019-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/414 申请日:20181115

    实质审查的生效

  • 2019-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/414 申请日:20181115

    实质审查的生效

  • 2019-01-29

    公开

    公开

  • 2019-01-29

    公开

    公开

  • 2019-01-29

    公开

    公开

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