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等离子体处理方法和老化结束检测方法以及等离子体处理装置

摘要

在现有的分析数据中,作为老化结束的判断基准的变化因老化而发生变化,即难于辨别是基于处理容器内的状态变化而变化,还是基于各个伪晶片间的温度变化而变化,进而难于判断老化是否结束。因此,本发明的等离子体处理方法,向等离子体处理装置(1)的处理容器(2)内提供伪晶片W,检测进行老化时的老化结束。其具有:向处理容器(2)内供给伪晶片W,在冷却处理容器(2)内之后,使用在向处理容器(2)内再次供给多个伪晶片W时得到的多个测量数据,来进行多变量分析,形成预测老化结束的预测式的步骤;基于该预测式,检测进行老化时的老化结束的步骤。

著录项

  • 公开/公告号CN100355040C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-12-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN03805861.8

  • 发明设计人 高山直树;王斌;原田智;

    申请日2003-03-12

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-08

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3065 授权公告日:20071212 终止日期:20180312 申请日:20030312

    专利权的终止

  • 2007-12-12

    授权

    授权

  • 2007-12-12

    授权

    授权

  • 2005-09-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-09-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-20

    公开

    公开

  • 2005-07-20

    公开

    公开

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