采用磁控溅射制备定向纳米柱阵列结构PbTe膜的方法

摘要

本发明涉及一种采用磁控溅射制备定向纳米柱阵列结构PbTe膜的方法，包括下列制备步骤：(1)基底清洗吹干后放入溅射真空室；(2)把质量百分比纯度为99.99％的PbTe靶材放入磁控溅射真空室中，调节基底与溅射靶源的距离后抽真空；(3)设定加热温度对基底升温，同时打开气体流量控制仪和溅射电源预热，并打开样品台自转；(4)开始通入高纯度氩气，固定氩气流量并调节气压至预定工作气压；(5)调节溅射功率，沉积2h～3h；(6)关闭溅射电源，并在氩气气氛下对薄膜进行原位退火；(7)关闭电源，待基底温度降至20℃～40℃时，关闭样品台自转和电源即制得在基底上沉积具有定向纳米柱阵列结构的PbTe膜。该方法简单、新颖，生产环境条件宽松，效果非常显著。