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带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC

摘要

本发明涉及微电子学的模拟集成电路设计领域,为提出一种采用H‑CDS的两步单斜ADC的实现方式,满足CMOS图像传感器对读出电路的高速度,低噪声的要求。本发明采用的技术方案是,带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC,包括比较器,锁存器,计数器,电容C1、C2、C3和开关SADC1、SADC2、S1、S2和SF,像素输出通过开关s1连接到电容C1、电容C3的上极板,电容C3的下极板接地,电容C1的下极板连接到比较器的同相输入端;并且,比较器的同相输入端通过开关s2与比较器的输出端相连接,比较器的反相输入端通过开关SF连接到斜坡信号。本发明主要应用于微电子学的模拟集成电路设计场合。

著录项

  • 公开/公告号CN106921838B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201710071497.X

  • 申请日2017-02-09

  • 分类号H04N5/3745(20110101);H04N5/378(20110101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人刘国威

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:48:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-17

    授权

    授权

  • 2017-07-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N5/3745 申请日:20170209

    实质审查的生效

  • 2017-07-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N 5/3745 申请日:20170209

    实质审查的生效

  • 2017-07-04

    公开

    公开

  • 2017-07-04

    公开

    公开

  • 2017-07-04

    公开

    公开

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