采用高通量技术制备梯度Nb-Si基合金薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种采用高通量技术制备梯度Nb‑Si基合金薄膜的方法，包括如下步骤：(1)制备Nb‑16Si‑6Cr‑24Ti‑6Al基体；(2)制备Cr靶材；(3)制备xNb‑ySi‑zTi‑kAl合金靶材，其中，x＝55～65，y＝14～19，z＝18～25，k＝1～4，数值均为原子百分比；(4)将步骤(1)中的Nb‑16Si‑6Cr‑24Ti‑6Al基体安装在磁控溅射设备的夹具上，将步骤(2)中的Cr靶材放置在普通直流靶上，将步骤(3)中的xNb‑ySi‑zTi‑kAl合金靶材放置在射频靶上，利用磁控溅射技术，制备梯度Nb‑Si基合金薄膜。本方法便于大批量的对不同元素比例的Nb‑Si基合金进行性能测试，快速的选取出最优的元素成分比例，提高工作效率。