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适用于高速GaN功率器件栅驱动的开关MOS自举充电电路

摘要

适用于高速GaN功率器件栅驱动的开关MOS自举充电电路,属于电子电路技术领域。包括反相器链、二极管、电荷泵电容和开关管,反相器链的输出端通过电荷泵电容后连接二极管的阴极,二极管的阳极连接电源电压;开关管的栅极连接二极管的阴极,其漏极作为开关MOS自举充电电路的输出端;开关MOS自举充电电路还包括电平位移模块、恒流源模块和开关模块,电平位移模块的输入端作为开关MOS自举充电电路的输入端,其输出端连接反相器链的输入端;恒流源模块接在开关管的栅极和地之间;开关模块接在开关管的源极和电源电压之间。本发明能够解决传统开关MOS自举电路中存在的开关管误开启和自举电容过充电的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN108809061B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201810620518.3

  • 申请日2018-06-15

  • 分类号

  • 代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人葛启函

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:46:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-27

    授权

    授权

  • 2018-12-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20180615

    实质审查的生效

  • 2018-12-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20180615

    实质审查的生效

  • 2018-11-13

    公开

    公开

  • 2018-11-13

    公开

    公开

  • 2018-11-13

    公开

    公开

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