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电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法

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摘要

本发明公开了一种电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法。所述电子传输层的制作方法包括：在保护性气氛中，使包含锌源、甲基金属化合物、硅醇化合物和溶剂的均匀混合反应体系反应，得到Zn

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1. 电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法 [P] . 中国专利： CN108767132B . 2019.12.20
2. 一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置 [P] . 中国专利： CN110098339B . 2020.04.17
3. Electron transport layer, quantum dot light-emitting devices comprising the same, single carrier devices for evaluating the electron transport layer and method for fabricating the same [P] . KR20220000303A . 2022-01-03

机译：电子传输层，包含相同的单载体器件的量子点发光器件，用于评估电子传输层和制造方法的方法
4. Inverted quantum dot light emitting diode containing composite electron transport layer [P] . KR102239351B1 . 2021-04-13

机译：倒置量子点发光二极管包含复合电子传输层
5. QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODES COMPRISING DOPED ZNO ELECTRON TRANSPORT LAYER [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020142480A1 . 2020-07-09

机译：包含掺杂的ZNO电子传输层的量子点发光二极管