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基于TiN衬底的NiFe磁性合金薄膜及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种基于TiN衬底的NiFe磁性合金薄膜及其制备方法，属于磁性材料领域。本发明采用磁控溅射的方法，首先在玻璃基片上生长CrRu层；然后在CrRu层上磁控溅射生长TiN层；最后在TiN层上磁控溅射生长NiFe磁性合金薄膜；制备的NiFe磁性合金薄膜的化学元素计量比为Ni

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1. 基于TiN衬底的NiFe磁性合金薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN109722631B . 2019.12.17
2. 基于TiN衬底的NiFe磁性合金薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN109722631A . 2019-05-07
3. METHOD FOR PREPARING A COMPLEX SUBSTRATE FILM AND BACKGRINDING TAPE FOR SEMICONDUCTOR WAFER COMPRISING A COMPLEX SUBSTRATE FILM PREPARED BY THE SAME [P] . 韩国专利： KR20130099604A . 2013-09-06

机译：包含由相同的薄膜制备的复合衬底薄膜的半导体衬底的复合衬底薄膜的制备方法和背磨带
4. TiN-BASED THIN FILM AND FILM-FORMING METHOD THEREFOR, FILM-FORMING APPARATUS, FILM STRUCTURAL BODY INCLUDING TiN-BASED THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 日本专利： JP2001156024A . 2001-06-08

机译：基于TiN的薄膜及其成膜方法，成膜设备，包括基于TiN的薄膜的膜结构体及其制造方法，以及半导体装置
5. GAAS THIN FILM GROWN ON SI SUBSTRATE, AND PREPARATION METHOD FOR GAAS THIN FILM GROWN ON SI SUBSTRATE [P] . 美国专利： US2018090316A1 . 2018-03-29

机译：在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法