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具有改进的相位检测像素的BSI CMOS图像传感器

摘要

改进的背照式(BSI)互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和相关联的方法改进相位检测能力。BSI CMOS图像传感器具有包括相位检测像素(PDP)、由埋藏式滤色镜阵列和复合金属/氧化物格栅形成的复合格栅、和对应PDP的光电二极管植入的像素阵列。PDP掩膜被与邻近PDP的深槽隔离(DTI)结构一起制造,并被布置为掩盖光电二极管植入的至少部分,使得PDP掩膜被布置于复合格栅和光电二极管植入之间。

著录项

  • 公开/公告号CN106653786B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 豪威科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201610965001.9

  • 申请日2016-11-04

  • 分类号

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人宋融冰

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:46:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-20

    授权

    授权

  • 2018-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20161104

    实质审查的生效

  • 2018-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20161104

    实质审查的生效

  • 2017-05-10

    公开

    公开

  • 2017-05-10

    公开

    公开

  • 2017-05-10

    公开

    公开

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