形成差别应变主动区的方法及其应变主动区

摘要

本发明是有关于一种形成差别应变主动区的方法及其应变主动区，其包括提供具有绝缘层上覆半导体结构的半导体基材；在半导体基材的绝缘层中形成掺杂区，此掺杂区是位于后续形成的NMOS主动区下方；图案化半导体基材的上半导体区，以形成NMOS主动区及PMOS主动区；实施热氧化制程以在NMOS主动区及PMOS主动区产生不同的体积膨胀；形成凹陷区，此凹陷区包括邻接于PMOS主动区两端的绝缘层；以及移除覆盖于上半导体区上的层以形成差别应变主动区，其包括N主动区及PMOS主动区。