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在C-方向错切小于+/-15度的m-平面基底上的半极性III-氮化物光电子装置

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摘要

在GaN的错切上生成的光电子装置，其中所述错切包括在GaN的c‑方向且与GaN的m‑平面错切x度的(GaN的)半极性GaN晶体平面，其中‑15

公开/公告号CN106972346B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-10

原文格式PDF
申请/专利权人加利福尼亚大学董事会;
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申请/专利号CN201710215977.9
发明设计人 P·S·徐;K·M·科尔奈;R·M·法雷尔;D·A·海格尔;H·太田;A·泰亚吉;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴阿斯;J·S·斯派克;
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申请日2011-03-04
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人王永伟
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:45:35

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1. 在C-方向错切小于+/-15度的m-平面基底上的半极性III-氮化物光电子装置 [P] . 中国专利： CN106972346B . 2019.12.10
2. 在C‑方向错切小于+/‑15度的m‑平面基底上的半极性III‑氮化物光电子装置 [P] . 中国专利： CN102782966B . 2017.04.26
3. 15 Semi-polar III-nitride optoelectronic devices on m-plane substrates with miscuts less than +/- 15 degrees in the c-direction [P] . 韩国专利： KR101854419B1 . 2018-05-03

机译：在m平面基板上的15个半极性III型氮化物光电器件，错切方向在c方向上小于+/- 15度
4. Semipolar III-nitride optoelectronic device on M-plane substrate with miscut less than +/− 15 degrees in C direction [P] . 日本专利： JP5972798B2 . 2016-08-17

机译： M平面基板上的半极性III型氮化物光电器件，在C方向上的错切小于+/- 15度
5. Semipolar III-nitride optoelectronic device on M-plane substrate with miscut less than +/− 15 degrees in C direction [P] . 日本专利： JP2013521665A . 2013-06-10

机译： M平面基板上的半极性III型氮化物光电器件，在C方向上的错切小于+/- 15度