一种GaAs Dual-Gate PHEMT小信号等效电路模型

摘要

本发明公开了一种GaAs Dual‑Gate PHEMT小信号等效电路模型，包括各个电极端口的寄生部分、本征部分和电极之间的耦合部分。该小信号等效电路模型可以简化测试步骤，提高仿真与测试结果的拟合精度。